Gerissene Halbleiterstruktur

Wellenlängenabhängige Photolumineszenz

Bilddaten
Bildgröße:	15 x 15 μm
Temperatur:	Raumtemperatur
Anzahl Punkte:	128 x 128 in x,y; 1024 in Z (Wellenlänge)
Gesamt-Datenmenge:	33,5 MB
Räumlich integriertes opt. Spektrum:

Gleichzeitig gemessene Informationen:

Topographie
Höhenunterschied ca. 350 nm

Verschiebung des Maximums
Variation ca. 4 nm

Reisst eine Halbleiterstruktur, relaxieren an den Rissen die Gitterkonstanten. Dies führt zu einer Veränderung der Emissionswellenlänge. Diesen Effekt kann man gut mit dem Nahfeldspektroskop beobachten. Im Video kann man sehr schön das "Umschalten" zwischen nah an Rissen gelegenen Bereichen und weiter davon entfernten Bereichen sehen.

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