Einzelner InGaN-Quantenfilm auf lateral gewachsener Struktur
Wellenlängenabhängige Lumineszenz
| Bilddaten | |
| Bildgröße: | 7 x 7 μm |
| Temperatur: | ca. 50K |
| Anzahl Punkte: | 256 x 256 in x,y; 1024 in Z (Wellenlänge) |
| Gesamt-Datenmenge: | 134 MB |
| Räumlich integriertes opt. Spektrum: |  |
Topographie
Höhenunterschied ca. 1400 nm
Ein hochauflösender Scan mit 256x256 Punkten von einer Struktur mit einem einzelnen InGaN-Quantenfilm bei ca. 50K. Es handelt sich um eine partiell lateral gewachsene Struktur. Neben der stark ausgeprägten Emission an der schrägen Kristallfacette erkennt man noch die GaN Emission bei ca. 360 nm. Bemerkenswert sind die Emissionen um ca. 480 nm, die eine ähnliche Ausrichtung vorweisen wie der Verlauf der Versetzungslinien innerhalb des Materials.