DME Nanotechnologie GmbH

Lateral gewachsene Gallium-Nitrid-Struktur

Wellenlängenabhängige Photolumineszenz

Bilddaten
Bildgröße:10 x 10 μm
Temperatur:ca. 50K
Anzahl Punkte:128 x 128 in x,y; 1024 in Z (Wellenlänge)
Gesamt-Datenmenge:33,5 MB
Räumlich integriertes opt. Spektrum:

Gleichzeitig gemessene Informationen:

Optische Intensität

Topographie
Höhenunterschied ca. 300 nm
Optische Intensität

Peakbreite
Variation ca. 2 nm
Optische Intensität

Verschiebung des Maximums
Variation ca. 1 nm

Die Probe besteht aus lateral gewachsenen Bereichen mit niedriger Defektdichte und aus vertikal gewachsenen Bereichen mit hoher Defektdichte. Die Defekte wirken als nichtstrahlende Rekombinationszentren und haben eine stark reduzierte Lumineszenz in ihrer Umgebung zur Folge. In der SNOM-Messung erscheinen die lateral gewachsenen Bereiche wesentlich heller als die vertikal gewachsenen. Ein Vergleich mit dem (gleichzeitig erhaltenen) Topographiebild rechts zeigt, dass die Furchen in der Topographie genau in der Mitte der lateral gewachsenen Zonen liegen. (Vgl. F. Hitzel et al., Appl. Phys. Lett. 82, 4071 (2003) )

Im Video kann man sehr schön erkennen, wie die Strukturinformation nur bei Wellenlängen innerhalb des Emissionspeaks sichtbar wird. Es sind keine Reflexionen oder ähnliches vorhanden, die ein wellenlängenunabhängiges Signal verursachen. Es ist eine der Besonderheiten der Nahfeldspektroskops, durch die Wellenlängensensitivität Störsignale von echten Informationen unterscheiden zu können.

Zurück zur Video-Übersicht


Copyright (C) DME Nanotechnologie GmbH