Lateral gewachsene Gallium-Nitrid-Struktur
Wellenlängenabhängige Photolumineszenz
| Bilddaten |
| Bildgröße: | 10 x 10 μm |
| Temperatur: | ca. 50K |
| Anzahl Punkte: | 128 x 128 in x,y; 1024 in Z (Wellenlänge) |
| Gesamt-Datenmenge: | 33,5 MB |
| Räumlich integriertes opt. Spektrum: |  |
Gleichzeitig gemessene Informationen:
Topographie
Höhenunterschied ca. 300 nm
Peakbreite
Variation ca. 2 nm
Verschiebung des Maximums
Variation ca. 1 nm
Die Probe besteht aus lateral gewachsenen Bereichen mit niedriger Defektdichte und aus vertikal gewachsenen Bereichen mit
hoher Defektdichte. Die Defekte wirken als nichtstrahlende Rekombinationszentren und haben eine stark reduzierte Lumineszenz
in ihrer Umgebung
zur Folge. In der SNOM-Messung erscheinen die lateral gewachsenen Bereiche wesentlich heller als die vertikal gewachsenen.
Ein Vergleich mit dem (gleichzeitig erhaltenen) Topographiebild rechts zeigt, dass die Furchen in der Topographie
genau in der Mitte der lateral gewachsenen Zonen liegen. (Vgl. F. Hitzel et al., Appl. Phys. Lett. 82, 4071 (2003) )
Im Video kann man sehr schön erkennen, wie die Strukturinformation nur bei Wellenlängen innerhalb des Emissionspeaks
sichtbar wird. Es sind keine Reflexionen oder ähnliches vorhanden, die ein wellenlängenunabhängiges Signal verursachen.
Es ist eine der Besonderheiten der Nahfeldspektroskops, durch die Wellenlängensensitivität Störsignale von echten Informationen
unterscheiden zu können.