Lateral gewachsene Indium-Gallium-Nitrid-Struktur
Wellenlängenabhängige Photolumineszenz
| Bilddaten | |
| Bildgröße: | 10 x 10 μm |
| Temperatur: | ca. 50K |
| Anzahl Punkte: | 128 x 128 in x,y; 1024 in Z (Wellenlänge) |
| Gesamt-Datenmenge: | 33,5 MB |
| Räumlich integriertes opt. Spektrum: |  |
Topographie
Höhenunterschied ca. 500 nm
Indium-Gallium-Nitrid reagiert beim Wachsen sehr empfindlich auf etwaige Topographieunterschiede der Unterlage. Bei auf strukturierten Oberflächen gewachsenen Schichten lassen sich mit dem SNOM eine Vielzahl verschiedener Emissionswellenlängen beobachten.
Im räumlich integrierten optischen Emissionsspektrum erkennt man noch ein Ansteigen der Intensität zu höheren Wellenlängen. Dies ist ein Artefakt durch in den Optiken bzw. dem Strahlteiler erzeugte Lumineszenz. Da diese Störung positionsunabhängig ist, erscheint sie nicht in den optischen Bildern.